Войти

Производители

Оперативная память Samsung SO-DIMM DDR3 PC3-12800 4GB (M471B5273CH0-CK0)

Samsung SO-DIMM DDR3 PC3-12800 4GB (M471B5273CH0-CK0)

частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В

5 / 5

Технические характеристики

Основные Samsung SO-DIMM DDR3 PC3-12800 4GB (M471B5273CH0-CK0)
Набор Нет
4 ГБ
Тип DDR3 SO-DIMM
ECC Нет
PC-индекс PC3-12800
CAS Latency 11T
Тайминги 11-11-11
Конструкция Samsung SO-DIMM DDR3 PC3-12800 4GB (M471B5273CH0-CK0)
Низкопрофильный модуль Нет
Технические характеристики Samsung SO-DIMM DDR3 PC3-12800 4GB (M471B5273CH0-CK0)
Количество банков 2
Производитель микросхем Samsung
Число микросхем 16
Ёмкость микросхем 2 Гбит
Тип микросхем 256Mx8
Профили XMP Нет
Охлаждение Нет
Питание Samsung SO-DIMM DDR3 PC3-12800 4GB (M471B5273CH0-CK0)
Напряжение питания 1.5 В
Центральный процессор Samsung SO-DIMM DDR3 PC3-12800 4GB (M471B5273CH0-CK0)
Частота 1600 МГц

Похожие товары

Kingston ValueRAM KVR800D2N6/2G
Оперативная память Kingston ValueRAM KVR800D2N6/2G частота 800 МГц, CL 6T, напряжение 1.8 В
Kingston HyperX Savage 4x8GB KIT DDR3 PC3-14900 (HX318C9SRK4/32)
Оперативная память Kingston HyperX Savage 4x8GB KIT DDR3 PC3-14900 (HX318C9SRK4/32) двойной двухканальный (4 модуля), частота 1866 МГц, CL 9T, тайминги 9-10-11, напряжение 1.5 В
Corsair Vengeance 2x4GB DDR3 PC3-12800 KIT (CMZ8GX3M2A1600C9)
Оперативная память Corsair Vengeance 2x4GB DDR3 PC3-12800 KIT (CMZ8GX3M2A1600C9) двухканальный (2 модуля), частота 1600 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9-24, напряжение 1.5 В
Corsair Vengeance Black 8GB DDR3 PC3-12800 (CMZ8GX3M1A1600C9)
Оперативная память Corsair Vengeance Black 8GB DDR3 PC3-12800 (CMZ8GX3M1A1600C9) частота 1600 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9-24, напряжение 1.5 В
Kingston HyperX Fury Red 2x4GB KIT DDR3 PC3-12800 (HX316C10FRK2/8)
Оперативная память Kingston HyperX Fury Red 2x4GB KIT DDR3 PC3-12800 (HX316C10FRK2/8) двухканальный (2 модуля), частота 1600 МГц, CL 10T, тайминги 10-10-10, напряжение 1.5 В